Drukuj stronę
PDTD123ET,215
Bipolarny tranzystor Pre-Biased /cyfrowy, BRT, Pojedynczy NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 365 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,590 zł |
| 50+ | 0,690 zł |
| 100+ | 0,600 zł |
| 500+ | 0,510 zł |
| 1500+ | 0,410 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
7,95 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTD123ET,215
Nr katalogowy Farnell2464147
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPojedynczy NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN50V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora500mA
Rezystor R1 wejście bazy2.2kohm
Rezystor R2 baza-emiter2.2kohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Rozproszenie mocy250mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE40hFE
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The PDTD123ET,215 is a NPN resistor equipped transistor (RET) encapsulated in a surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
- 500mA output current capability
- Reduces component count
- ±10% resistor ratio tolerance
Uwagi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Pojedynczy NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Rezystor R1 wejście bazy
2.2kohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
50V
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rezystor R2 baza-emiter
2.2kohm
Liczba pinów
3 piny
Rozproszenie mocy
250mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
40hFE
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001