Drukuj stronę
PMD2001D,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 320 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 12 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,850 zł |
| 50+ | 0,520 zł |
| 100+ | 0,410 zł |
| 500+ | 0,390 zł |
| 1500+ | 0,370 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
4,25 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMD2001D,115
Nr katalogowy Farnell3440019
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN40V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP40V
Prąd ciągły kolektora, NPN600mA
Prąd ciągły kolektora, PNP600mA
Rozproszenie mocy, NPN320mW
Rozproszenie mocy, PNP320mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN50hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP50hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-457
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
40V
Prąd ciągły kolektora, PNP
600mA
Rozproszenie mocy, PNP
320mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
50hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
40V
Prąd ciągły kolektora, NPN
600mA
Rozproszenie mocy, NPN
320mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
50hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-457
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001
Śledzenie produktu