Drukuj stronę
PMD9010D
Sieć tranzystorów bipolarnych, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 290 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMD9010D
Nr katalogowy Farnell1524149
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN45V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP45V
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP100mA
Rozproszenie mocy, NPN290mW
Rozproszenie mocy, PNP290mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP200hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSuperSOT
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
45V
Prąd ciągły kolektora, PNP
100mA
Rozproszenie mocy, PNP
290mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
200hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
45V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
290mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SuperSOT
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000015