Drukuj stronę
PMN280ENEAX
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
190 W Magazynie
3 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,620 zł |
| 1000+ | 0,570 zł |
| 5000+ | 0,540 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
330,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMN280ENEAX
Nr katalogowy Farnell3106436RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu1.2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.285ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.285ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSOP
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.7V
Rozproszenie mocy7.5W
Rozpraszanie mocy Pd7.5W
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Kwalifikacja motoryzacyjnaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.285ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TSOP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
7.5W
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
-
Kwalifikacja motoryzacyjna
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły Id drenu
1.2A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.285ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.7V
Rozpraszanie mocy Pd
7.5W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000363