Drukuj stronę
PXP3R7-12QUJ
MOSFET mocy, Kanał typu P, 12 V, 18.7 A, 3200 µohm, MLPAK33, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPXP3R7-12QUJ
Nr katalogowy Farnell3868931RL
Asortyment produktówTrench Series
Karta katalogowa
952 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,480 zł |
| 500+ | 3,270 zł |
| 1000+ | 3,210 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
368,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPXP3R7-12QUJ
Nr katalogowy Farnell3868931RL
Asortyment produktówTrench Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKanał P
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds12V
Prąd ciągły Id drenu18.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3200µohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.0032ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraMLPAK33
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs700mV
Rozproszenie mocy1.8W
Rozpraszanie mocy Pd1.8W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrench Series
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Kanał P
Napięcie drenu / źródła Vds
12V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3200µohm
Rodzaj obudowy tranzystora
MLPAK33
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
1.8W
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
Trench Series
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
18.7A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.0032ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
700mV
Rozpraszanie mocy Pd
1.8W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000062
Śledzenie produktu