Drukuj stronę
A3M35TL039-EVB
Płytka ewaluacyjna, A3M35TL039, do wzmacniacza mocy, łączność bezprzewodowa
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNXP
Nr części producentaA3M35TL039-EVB
Nr katalogowy Farnell3923715
Twój numer części
Karta katalogowa
2 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 2 132,030 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
2 132,03 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaA3M35TL039-EVB
Nr katalogowy Farnell3923715
Karta katalogowa
Producent chipuNXP
Numer rdzenia chipuA3M35TL039
Rodzaj zastosowania zestawuŁączność bezprzewodowa
Podtyp zastosowaniaWzmacniacz mocy RF
Architektura rdzenia-
Sub-architektura rdzenia-
Nazwa rodziny chipu-
Zawartość zestawuPłytka ewaluacyjna A3M35TL039
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
A3M35TL039-EVB to obwód referencyjny A3M35TL039 3400-3650MHz. A3M35TL039 to w pełni zintegrowany moduł wzmacniacza mocy Doherty przeznaczony do zastosowań infrastruktury bezprzewodowej, które wymagają wysokiej wydajności w najmniejszym rozmiarze. Idealny do zastosowań w systemach massive MIMO, małych komórkach zewnętrznych i niskonapięciowych zdalnych głowicach radiowych. Sprawdzone w terenie wzmacniacze mocy LDMOS są przeznaczone do systemów TDD i FDD LTE.
- 7W średnia moc
- Zaawansowany, wydajny pakiet Doherty
- W pełni dopasowane (wejście/wyjście 50 omów, blokowanie DC)
- Zaprojektowany dla systemów linearyzacji analogowej lub cyfrowej o niskiej złożoności
Specyfikacje techniczne
Producent chipu
NXP
Rodzaj zastosowania zestawu
Łączność bezprzewodowa
Architektura rdzenia
-
Nazwa rodziny chipu
-
Asortyment produktów
-
Numer rdzenia chipu
A3M35TL039
Podtyp zastosowania
Wzmacniacz mocy RF
Sub-architektura rdzenia
-
Zawartość zestawu
Płytka ewaluacyjna A3M35TL039
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.02