Drukuj stronę
AFT09MS007NT1
Tranzystor FET RF, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
240 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 17,300 zł |
| 10+ | 13,120 zł |
| 100+ | 10,970 zł |
| 500+ | 10,090 zł |
| 1000+ | 9,160 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
17,30 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaAFT09MS007NT1
Nr katalogowy Farnell2776255
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds30VDC
Prąd ciągły Id drenu-
Rozproszenie mocy114W
Częstotliwość robocza, min.136MHz
Częstotliwość robocza, maks.941MHz
Rodzaj obudowy tranzystoraPLD-1.5W
Liczba pinów2Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
AFT09MS007NT1 to tranzystor mocy RF LDMOS przeznaczony do przenośnych zastosowań radiowych dwukierunkowych o częstotliwościach od 136 do 941 MHz. Wysoki poziom wzmocnienia i wytrzymałości oraz szerokopasmowa wydajność sprawiają, że układ ten idealnie nadaje się do zastosowań wzmacniaczy o dużym sygnale i wspólnym źródle w przenośnym sprzęcie radiowym. Typowe obszary zastosowania stopień wyjściowy przenośnego radia w paśmie VHF, UHF i 700–800 MHz.
- Najlepsza wartość wejściowa i wyjściowa umożliwia skorzystanie z szerokiego zakresu częstotliwości
- Zintegrowane zabezpieczenie przed ESD
- Zintegrowane zwiększenie stabilności
- Szerokopasmowa pełna moc w całym paśmie
- Wyjątkowa wydajność termiczna
- Bardzo duża solidność
- Wysoka liniowość dla: TETRA, SSB
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
30VDC
Rozproszenie mocy
114W
Częstotliwość robocza, maks.
941MHz
Liczba pinów
2Pins
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Prąd ciągły Id drenu
-
Częstotliwość robocza, min.
136MHz
Rodzaj obudowy tranzystora
PLD-1.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000858
Śledzenie produktu