Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaBFM520,115
Nr katalogowy Farnell1758050RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter8V
Częstotliwość przejścia ft9GHz
Rozproszenie mocy1W
Prąd ciągły kolektora70mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE120hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The BFM520,115 is a dual NPN Wideband Transistor with two silicon RF dies in a surface-mount package. This transistor is primarily intended for wideband applications in the GHz-range in the RF front end of analogue and digital cellular phones, cordless phones, radar detectors, pagers and satellite TV-tuners.
- Small size
- Temperature and hFE matched
- Low noise and high gain
- High gain at low current and low capacitance at low voltage
- Gold metallization ensures excellent reliability
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Częstotliwość przejścia ft
9GHz
Prąd ciągły kolektora
70mA
Liczba pinów
6Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
8V
Rozproszenie mocy
1W
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
120hFE
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006
Śledzenie produktu