Drukuj stronę
BLT81.115
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaBLT81.115
Nr katalogowy Farnell1562465
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter9.5V
Częstotliwość przejścia ft900MHz
Rozproszenie mocy2W
Prąd ciągły kolektora500mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Liczba pinów3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE25hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BLT81.115
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
900MHz
Prąd ciągły kolektora
500mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
9.5V
Rozproszenie mocy
2W
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
25hFE
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.12