Potrzebujesz więcej?
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3 130,990 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
Three-phase inverter reference design and evaluation board populated with six GD3160 gate drivers for IGBT/SiC MOSFET devices. This board supports SPI daisy chain communication for programming and communication with three high-side gate drivers and three low-side gate drivers independently and comes with fault management and supporting circuitry. Evaluation kit is designed to connect to a compatible HybridPACK™ Drive SIC/IGBT module or onsemi VE-trac™ IGBT module for full three phase inverter applications development.
- 3 phase reference design for HP drive featuring GD3160
- GD3160 advanced single channel gate driver for IGBT and SiC MOSFETs
- Integrated galvanic signal isolation (up to 8KV)
- SPI interface for safety monitoring, configuration and diagnostic reporting
- Fail-safe state management from LV and HV domain for user-selectable safe state
- Configurable desaturation and current sense optimized for protecting SiC and IGBTs
- Integrated ADC for monitoring parameters from HV domain
- Certified compliant with ISO 26262, supporting ASIL D level functional safety
Zawartość
Three-phase inverter reference design and evaluation board, Quick start guide.
Specyfikacje techniczne
NXP
sterownik bramkowy IGBT/SiC
Płytka projektu referencyjnego GD3160, kabel PCIe (S32SDEV-CON18), torebka antystatyczna, instrukcja Quick Start
No SVHC (27-Jun-2024)
GD3160
sterownik 3-fazowego silnika EV
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu