Drukuj stronę
2N7002ET1G
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
133 599 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,760 zł |
| 50+ | 0,420 zł |
| 100+ | 0,210 zł |
| 500+ | 0,210 zł |
| 1500+ | 0,200 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
3,80 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producenta2N7002ET1G
Nr katalogowy Farnell2317616
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu310mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”2.5ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy420mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.
- 1.2A Pulsed drain current
- ±20V Gate-source voltage
- Halogen-free
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
310mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
420mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
2.5ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze 2N7002ET1G
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000033