Drukuj stronę
FDS89141
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
5 743 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 12,620 zł |
| 50+ | 9,710 zł |
| 100+ | 6,790 zł |
| 500+ | 6,030 zł |
| 1000+ | 5,610 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
63,10 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDS89141
Nr katalogowy Farnell2083349
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N3.5A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P3.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.047ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.047ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N31W
Rozproszenie mocy, kanał typu P31W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 18A Pulsed drain current
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
3.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.047ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
31W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
3.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.047ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Rozproszenie mocy, kanał typu N
31W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000272
Śledzenie produktu