Drukuj stronę
FOD3182V
Transoptor, Wyjście sterownika bramki, 1 kanał, DIP, 8 piny/-ów, 5 kV
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
520 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 13,250 zł |
| 10+ | 8,140 zł |
| 25+ | 7,980 zł |
| 50+ | 7,760 zł |
| 100+ | 7,600 zł |
| 500+ | 6,670 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
13,25 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFOD3182V
Nr katalogowy Farnell2083116
Karta katalogowa
Liczba kanałów1 kanał
Rodzaj obudowy transoptoraDIP
Liczba pinów8Pins
Napięcie izolacji5kV
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The FOD3182V is a 1-channel 8-pin high speed MOSFET Gate Driver Optocoupler consists of an aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode (LED) optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally suited for high frequency driving of power MOSFETS used in plasma display panels (PDPs) and high performance DC-DC converter.
- High noise immunity characterized by 50kV/µs (typical) common mode rejection
- Fast output rise/fall time - Offers lower dynamic power dissipation
- Under voltage lockout protection (UVLO) with hysteresis - optimized for driving MOSFETs
- 3A Minimum peak output current
- 250kHZ Maximum switching speed
- 8m Minimum creepage distance
- 0.5mm Minimum insulation thickness
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
1 kanał
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Rodzaj obudowy transoptora
DIP
Napięcie izolacji
5kV
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005
Śledzenie produktu