Drukuj stronę
H11G2SR2M
Transoptor, Wyjście Darlingtona, 1 kanał, Powierzchniowe DIP, 6 piny/-ów, 60 mA, 7.5 kV, 500 %
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
734 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 4,300 zł |
| 10+ | 2,540 zł |
| 25+ | 2,360 zł |
| 50+ | 2,190 zł |
| 100+ | 2,010 zł |
| 500+ | 1,780 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
4,30 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaH11G2SR2M
Nr katalogowy Farnell2322528
Karta katalogowa
Liczba kanałów1 kanał
Rodzaj obudowy transoptoraPowierzchniowe DIP
Liczba pinów6Pins
Prąd przewodzenia If, maks.60mA
Napięcie izolacji7.5kV
CTR, min.500%
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo80V
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
H11G2SR2M is a photo darlington-type optically coupled optocoupler. The device has gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. Typical applications include CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface, power supply isolation and replace pulse transformer.
- High BVCEO 80V minimum
- High sensitivity to low input current (minimum 500% CTR at IF = 1mA)
- Low leakage current at elevated temperature
- UL1577, 4170VACRMS for 1min
- DIN-EN/IEC60747-5-5, 850 V peak working insulation voltage
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
1 kanał
Liczba pinów
6Pins
Napięcie izolacji
7.5kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
80V
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Rodzaj obudowy transoptora
Powierzchniowe DIP
Prąd przewodzenia If, maks.
60mA
CTR, min.
500%
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907
Śledzenie produktu