MICROFC-10010-SMT-TR1

Czujniki low-light firmy ON Semiconductor mają wiodącą w branży wartość DCR w połączeniu z wysokim współczynnikiem PDE. Dla aplikacji bardzo szybkiego pomiaru czasu, czujniki serii C mają dużą wydajność, która ma czas narastania o wartości 300ps wraz z szerokością impulsu na poziomie 600ps. Seria C dostępna jest z różnymi rozmiarami czujnika (1mm, 3mm oraz 6mm). Umieszczona jest 4-stronnej, warstwowej obudowie SMT, która jest kompatybilna z przemysłowymi, standardowymi procesami bezołowiowego lutowania rozpływowego. SiPM jest utworzony w oparciu o dużą liczbę mikroogniw (setki lub tysiące) Każde mikroogniwo jest fotodiodą lawinową z własnym rezystorem gaszącym oraz szybkim wyjściem sprzężonym pojemnościowo. Mikroogniwa znajdują się w układzie o gęstym upakowaniu.

• Wartość PDE: <lt/>40% przy 420nm, zwiększona czułość do 300nm - w celu zapewnienia ulepszonej czułości na promienie UV
• Ultraniski prąd ciemny o wartości 30kHz / mm2
• Wyjątkowa jednorodność napięcia przebicia: ±250 mV we wszystkich produktach serii C
• Stabilność temperaturowa: 21.5 mV/°C
• Bardzo szybkie czasy narastania: 300ps z szerokością impulsową 600ps z unikalnej końcówki „szybkiego wyjścia"
• Napięcie polaryzacji: <lt/>30V
• Alternatywa półprzewodnika dla wcześniejszych wersji PMT - dla szerokiej gamy aplikacji
• Duże wzmocnienie 106 przewodów dla zapewnienia czułości pojedynczego fotonu
• Najlepsza jednorodność Vbr w branży