Drukuj stronę
MMBF4392LT1G
Tranzystor JFET, JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 piny, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
4 998 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 0,700 zł |
| 500+ | 0,590 zł |
| 1500+ | 0,490 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
90,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBF4392LT1G
Nr katalogowy Farnell1431331RL
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło30V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.75mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.-5V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMBF4392LT1G jest N-kanałowym tranzystorem przełączającym JFET, zaprojektowanym do przełączania analogowego i aplikacji typu chopper.
- Napięcie dren-źródło 30 VDC
- Napięcie dren - bramka 30 VDC
- Napięcie bramka-źródło 30 VDC
- Bramkowy prąd przewodzenia: 50mA
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
30V
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
-5V
Liczba pinów
3 piny
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
75mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Temperatura robocza, maks.
150°C
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBF4392LT1G
Znaleziono 4 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu