Drukuj stronę
MUN5311DW1T1G
Bipolarny tranzystor Pre-Biased /cyfrowy, BRT, Uzupełnienie NPN i PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
82 400 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,840 zł |
| 10+ | 0,490 zł |
| 100+ | 0,320 zł |
| 500+ | 0,220 zł |
| 1000+ | 0,200 zł |
| 5000+ | 0,150 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
4,20 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMUN5311DW1T1G
Nr katalogowy Farnell2464148
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraUzupełnienie NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN50V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP50V
Prąd ciągły kolektora100mA
Rezystor R1 wejście bazy10kohm
Rezystor R2 baza-emiter10kohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6 pinów
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Rozproszenie mocy385mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE35hFE
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MUN5311DW1T1G to cyfrowy tranzystor bipolarny NPN-PNP, który jest zaprojektowany jako zamiennik pojedynczego układu i towarzyszącej, zewnętrznej sieci bias rezystora. Tranzystor z rezystorem polaryzującym (BRT) posiada pojedynczy tranzystor z monolityczną siecią bias, która składa się z dwóch rezystorów, szeregowego rezystora bazowego oraz podstawowego rezystora emitera. BRT eliminuje indywidualne komponenty poprzez zintegrowanie ich w pojedynczym układzie.
- Upraszcza projektowanie obwodu
- Redukuje powierzchnię płytki
- Redukuje liczbę komponentów
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Uzupełnienie NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
50V
Rezystor R1 wejście bazy
10kohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
50V
Prąd ciągły kolektora
100mA
Rezystor R2 baza-emiter
10kohm
Liczba pinów
6 pinów
Rozproszenie mocy
385mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
35hFE
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MUN5311DW1T1G
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004536
Śledzenie produktu