Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
26 527 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 2,310 zł |
10+ | 1,680 zł |
100+ | 1,320 zł |
500+ | 1,170 zł |
1000+ | 1,160 zł |
2500+ | 1,160 zł |
5000+ | 1,140 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
2,31 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNCS20074DR2G
Nr katalogowy Farnell2774608
Karta katalogowa
Liczba kanałów4Channels
Pole wzmocnienia (GBW)3MHz
Typowa prędkość narastania2.8V/µs
Zakres napięcia zasilania2.7V do 36V, ± 1.35V do ± 18V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów14Pins
Typ wzmacniaczaOgólnego zastosowania
Rail-to-railWyjście rail-to-rail (RRO)
Napięcie niezrównoważenia wejścia1.3mV
Prąd polaryzacji wejścia5pA
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.125°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Szerokość pasma3MHz
Liczba wzmacniaczy4 wzmacniacze
Szybkość narastania (slew rate)2.8V/µs
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
4Channels
Typowa prędkość narastania
2.8V/µs
Obudowa układu IC
SOIC
Typ wzmacniacza
Ogólnego zastosowania
Napięcie niezrównoważenia wejścia
1.3mV
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
125°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Liczba wzmacniaczy
4 wzmacniacze
Pole wzmocnienia (GBW)
3MHz
Zakres napięcia zasilania
2.7V do 36V, ± 1.35V do ± 18V
Liczba pinów
14Pins
Rail-to-rail
Wyjście rail-to-rail (RRO)
Prąd polaryzacji wejścia
5pA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Szerokość pasma
3MHz
Szybkość narastania (slew rate)
2.8V/µs
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu