Drukuj stronę

NDT3055L

Name: ONSEMI NDT3055L
Brand: ONSEMI
SKU: 9845305RL
Availability: InStock

MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, montaż powierzchniowy

Date/Lot Code

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

ProducentONSEMI

Nr części producentaNDT3055L

Nr katalogowy Farnell9845305RL

Karta katalogowa

Data Sheet

Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Rodzaje opakowania

Taśma cięta

Nawijanie na rolkę

Pełna szpula

70 446 W Magazynie

Potrzebujesz więcej?

Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze

Złóż zamówienie przed godziną 17:00

BEZPŁATNA standardowa dostawa

zamówień 0,00 zł i powyżej

Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia

Ilość	Cena (bez VAT)
50+	3,490 zł
250+	2,570 zł
1000+	1,790 zł
2000+	1,760 zł

Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Minimum: 100

Wiele: 5

369,00 zł (bez VAT)

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł

Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza

Uwagi na temat danego wiersza

Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.

Numer Twojej części

Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.

Informacje o produkcie

ProducentONSEMI

Nr części producentaNDT3055L

Nr katalogowy Farnell9845305RL

Karta katalogowa

Data Sheet

Typ kanałuKanał typu N

Napięcie drenu / źródła Vds60V

Prąd ciągły Id drenu4A

Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.1ohm

Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223

Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy

Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V

Napięcie progowe Vgs1.6V

Rozproszenie mocy3W

Liczba pinów4Pins

Temperatura robocza, maks.150°C

Asortyment produktów-

Kwalifikacja-

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone

Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)

Specyfikacja

NDT3055L jest N-kanałowym, formowanym tranzystorem MOSFET poziomu logicznego, z kanałem wzbogaconym, korzystający z technologii DMOS o dużej gęstości ogniwa. Ten proces dużej gęstości został dopasowany zwłaszcza w celu zminimalizowania rezystancji stanu „on” - zapewnia najlepszą wydajność przełączania i wytrzymuje duże impulsy energii w trybach: lawinowym oraz komutacyjnym. Układy te są odpowiednie zwłaszcza do aplikacji niskonapięciowych, takich jak przetwornice DC/DC, sterowanie silnikiem PWM, a także inne obwody zasilane bateriami tam, gdzie potrzebne są: szybkie przełączanie, niskie straty zasilania liniowego oraz odporność na stany przejściowe.

Specyfikacje techniczne

Typ kanału

Kanał typu N

Prąd ciągły Id drenu

Rodzaj obudowy tranzystora

SOT-223

Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)

10V

Rozproszenie mocy

Temperatura robocza, maks.

150°C

Kwalifikacja

Substancje SVHC

Lead (27-Jun-2024)

Napięcie drenu / źródła Vds

60V

Rezystancja dren-źródło w trybie „On”

0.1ohm

Montaż tranzystora

montaż powierzchniowy

Napięcie progowe Vgs

1.6V

Liczba pinów

4Pins

Asortyment produktów

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL

MSL 1 - nieograniczone

Dokumentacja techniczna (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NDT3055L

Znaleziono 6 produktów

Produkty powiązane

Znaleziono 8 produktów

Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska

Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji

Taryfa celna:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Zgodny z RoHS:Y-Ex

RoHS

Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak

RoHS

Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)

Pobierz certyfikat zgodności produktu

Świadectwo zgodności produktu

Ciężar (kg):.000172

Śledzenie produktu