Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 17 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 2500+ | 3,000 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 2500
Wiele: 2500
7 500,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNE5517DR2G
Nr katalogowy Farnell2844945
Karta katalogowa
Liczba kanałów2Channels
Pole wzmocnienia (GBW)2MHz
Napięcie zasilania44VDC
Typowa prędkość narastania50V/µs
Pasmo wzmocnienia2MHz
Zakres napięcia zasilania10V do 18V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów16Pins
Prąd wyjściowy, min.350µA
Typ wzmacniaczaTranskonduktancyjny
Prąd wyjściowy - maks.650µA
Rail-to-rail-
Napięcie niezrównoważenia wejścia400µV
Rezystancja wejścia26kohm
Prąd polaryzacji wejścia400nA
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.0°C
Temperatura robocza, maks.70°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Liczba wzmacniaczy2 wzmacniacze
Szybkość narastania (slew rate)50V/µs
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
2Channels
Napięcie zasilania
44VDC
Pasmo wzmocnienia
2MHz
Obudowa układu IC
SOIC
Prąd wyjściowy, min.
350µA
Prąd wyjściowy - maks.
650µA
Napięcie niezrównoważenia wejścia
400µV
Prąd polaryzacji wejścia
400nA
Temperatura robocza, min.
0°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Szybkość narastania (slew rate)
50V/µs
Pole wzmocnienia (GBW)
2MHz
Typowa prędkość narastania
50V/µs
Zakres napięcia zasilania
10V do 18V
Liczba pinów
16Pins
Typ wzmacniacza
Transkonduktancyjny
Rail-to-rail
-
Rezystancja wejścia
26kohm
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
70°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Liczba wzmacniaczy
2 wzmacniacze
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000638
Śledzenie produktu