Drukuj stronę
NGTB20N120IHWG.
IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTB20N120IHWG.
Nr katalogowy Farnell2492857
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora40A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.2V
Rozproszenie mocy341W
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacja
The NGTB20N120IHWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor features a robust and field-stop (FS) Trench construction, provides and superior performance in demanding switching applications and offers low ON-state voltage with minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications.
- Extremely efficient Trench with field-stop technology
- Low switching loss - Reduces system power dissipation
- Optimized for low losses in IH cooker application
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
40A
Rozproszenie mocy
341W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.2V
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Vietnam
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Vietnam
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004083