Drukuj stronę
NGTB30N60IHLWG.
IGBT, 60 A, 1.8 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTB30N60IHLWG.
Nr katalogowy Farnell2321659
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora60A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.8V
Rozproszenie mocy250W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NGTB30N60IHLWG.
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
- Low Saturation Voltage using Trench with Fieldstop Technology
- Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
- Low Gate Charge
- Soft, Fast Free Wheeling Diode
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
60A
Rozproszenie mocy
250W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.8V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00542
Śledzenie produktu