Drukuj stronę
NGTB35N65FL2WG
IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTB35N65FL2WG
Nr katalogowy Farnell2452037
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora70A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Rozproszenie mocy300W
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
70A
Rozproszenie mocy
300W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.007953