Drukuj stronę
NGTB40N120IHRWG
IGBT, 80 A, 2.3 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTB40N120IHRWG
Nr katalogowy Farnell2399112
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora80A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.3V
Rozproszenie mocy384W
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
80A
Rozproszenie mocy
384W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.3V
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001