Drukuj stronę
NVBG020N120SC1
MOSFET - węglik krzemu, EliteSiC, pojedyncze, Kanał typu N, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVBG020N120SC1
Nr katalogowy Farnell3265484RL
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
716 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 139,300 zł |
| 50+ | 136,520 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 10
Wiele: 1
1 413,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVBG020N120SC1
Nr katalogowy Farnell3265484RL
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły Id drenu98A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.02ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Liczba pinów7Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)20V
Napięcie progowe Vgs2.7V
Rozproszenie mocy468W
Rozpraszanie mocy Pd468W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówEliteSiC Series
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
NVBG020N120SC1 to MOSFET z węglika krzemu (SiC). Typowe obszary zastosowania to pokładowe samochodowe ładowarki, samochodowe konwertery DC-DC do pojazdów EV/HEV.
- Kwalifikacja AEC-Q101, zdolność PPAP
- W 100% przetestowany lawinowo
- Niska efektywna pojemność wyjściowa (typowo Coss= 258pF)
- Napięcie dren-źródło wynosi 1200 V przy TJ = 25°C
- Ciągły prąd drenu wynosi 98 A przy TC = 25°C
- Rozpraszanie mocy wynosi 3,7 W przy TC = 25°C
- Zdolność do odprowadzania prądu udarowego pojedynczego impulsu wynosi 807 A przy TA = 25°C, tp = 10 µs, RG = 4,7 ohm
- Robocza temperatura połączeniowa i przechowywania: od -55 do +175°C
- Obudowa D2PAK-7L
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Liczba pinów
7Pins
Napięcie progowe Vgs
2.7V
Rozpraszanie mocy Pd
468W
Asortyment produktów
EliteSiC Series
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
98A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
20V
Rozproszenie mocy
468W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000024
Śledzenie produktu