Drukuj stronę
NVH4L020N120SC1
MOSFET - węglik krzemu, EliteSiC, pojedyncze, Kanał typu N, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVH4L020N120SC1
Nr katalogowy Farnell3464022
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
190 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 132,890 zł |
| 5+ | 126,010 zł |
| 10+ | 119,090 zł |
| 50+ | 112,210 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
132,89 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVH4L020N120SC1
Nr katalogowy Farnell3464022
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu102A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów4Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)20V
Napięcie progowe Vgs2.7V
Rozproszenie mocy510W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówEliteSiC Series
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Prąd ciągły Id drenu
102A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Liczba pinów
4Pins
Napięcie progowe Vgs
2.7V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
20V
Rozproszenie mocy
510W
Asortyment produktów
EliteSiC Series
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002
Śledzenie produktu