Drukuj stronę
NXH40T120L3Q1SG
moduł IGBT, inwerter półmostkowy PIM, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH40T120L3Q1SG
Nr katalogowy Farnell3265492
Asortyment produktówNXH40T120L3Q1
Karta katalogowa
17 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 232,180 zł |
| 5+ | 208,970 zł |
| 10+ | 204,800 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
232,18 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH40T120L3Q1SG
Nr katalogowy Farnell3265492
Asortyment produktówNXH40T120L3Q1
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTinwerter półmostkowy PIM
Prąd kolektora DC42A
Prąd ciągły kolektora42A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Rozproszenie mocy146W
Rozpraszanie mocy Pd146W
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Temperatura robocza, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraPIM
Zakończenie IGBTlutowana
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTTrench Field Stop
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówNXH40T120L3Q1
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
inwerter półmostkowy PIM
Prąd ciągły kolektora
42A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
146W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
lutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Prąd kolektora DC
42A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozproszenie mocy
146W
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
PIM
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Technologia IGBT
Trench Field Stop
Asortyment produktów
NXH40T120L3Q1
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu