Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaSBC846BPDW1T1G
Nr katalogowy Farnell2724491
Twój numer części
Karta katalogowa
13 506 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,110 zł |
| 50+ | 0,680 zł |
| 100+ | 0,400 zł |
| 500+ | 0,310 zł |
| 1500+ | 0,280 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
5,55 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaSBC846BPDW1T1G
Nr katalogowy Farnell2724491
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKomplementarny NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN65V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP65V
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP100mA
Rozproszenie mocy, NPN380mW
Rozproszenie mocy, PNP380mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP200hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP100MHz
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Komplementarny NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
65V
Prąd ciągły kolektora, PNP
100mA
Rozproszenie mocy, PNP
380mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
200hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
100MHz
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
65V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
380mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000073