Drukuj stronę
BSR56
Tranzystor JFET, JFET, 40 V, 10 V, SOT-23, 3 piny, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaBSR56
Nr katalogowy Farnell2453834
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Karta katalogowa
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaBSR56
Nr katalogowy Farnell2453834
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło40V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.-
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.50mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.10V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Rodzaj tranzystoraJFET
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Liczba pinów3 piny
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BSR56
Znaleziono 3 produktów
Specyfikacja
The BSR56 is a N-channel JFET offers low-frequency and low-noise designed for low-power chopper or switching application.
- 40V Drain-gate voltage
- -40V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Zastosowania
Przemysłowe, Zarządzanie zasilaniem
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
40V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
50mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
3 piny
Asortyment produktów
Compute Module 3+ Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
-
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
10V
Rodzaj tranzystora
JFET
Typ kanału
Kanał typu N
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000082
Śledzenie produktu