Drukuj stronę
FDME910PZT
MOSFET mocy, Kanał typu P, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, MicroFET, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDME910PZT
Nr katalogowy Farnell3368747
Asortyment produktówPowerTrench
Karta katalogowa
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDME910PZT
Nr katalogowy Farnell3368747
Asortyment produktówPowerTrench
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraMicroFET
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs600mV
Rozproszenie mocy2.1W
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówPowerTrench
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
8A
Rodzaj obudowy tranzystora
MicroFET
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
2.1W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
600mV
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
PowerTrench
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0004
Śledzenie produktu