Drukuj stronę

NDS0610

Name: ONSEMI NDS0610
Brand: ONSEMI
SKU: 9846360RL
Availability: InStock

MOSFET mocy, Kanał typu P, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy

Date/Lot Code

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

ProducentONSEMI

Nr części producentaNDS0610

Nr katalogowy Farnell9846360RL

Karta katalogowa

Data Sheet

Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Rodzaje opakowania

Taśma cięta

Nawijanie na rolkę

Pełna szpula

29 392 W Magazynie

Potrzebujesz więcej?

Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze

Złóż zamówienie przed godziną 17:00

BEZPŁATNA standardowa dostawa

zamówień 0,00 zł i powyżej

Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia

Ilość	Cena (bez VAT)
100+	0,800 zł
500+	0,620 zł
1500+	0,560 zł

Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Minimum: 100

Wiele: 5

100,00 zł (bez VAT)

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł

Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza

Uwagi na temat danego wiersza

Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.

Numer Twojej części

Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.

Informacje o produkcie

ProducentONSEMI

Nr części producentaNDS0610

Nr katalogowy Farnell9846360RL

Karta katalogowa

Data Sheet

Typ kanałuKanał typu P

Napięcie drenu / źródła Vds60V

Prąd ciągły Id drenu120mA

Rezystancja dren-źródło w trybie „On”10ohm

Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23

Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy

Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V

Napięcie progowe Vgs1.7V

Rozproszenie mocy300mW

Liczba pinów3Pins

Temperatura robocza, maks.150°C

Asortyment produktów-

Kwalifikacja-

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone

Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Specyfikacja

NDS0610 jest P-kanałowym tranzystorem FET z kanałem wzbogacanym. Jest wytworzony z wykorzystaniem dużej gęstości ogniwa oraz technologii DMOS. Jest to proces o dużej gęstości, który został zaprojektowany w celu zminimalizowania rezystancji stanu „on", zapewnia niezawodną wydajność i szybkie przełączanie. Może być używany - przy minimalnym wysiłku - w większości aplikacji, które wymagają do 120mA prądu DC i dostarczają prąd o wartości do 1A. Produkt ten jest odpowiedni szczególnie do aplikacji niskonapięciowych, które wymagają niskoprądowego przełącznika typu high-side.

P-kanałowy przełącznik małosygnałowy sterowany napięciowo
Ogniwo o dużej gęstości dla niskiej wartości Rds(on)
Wysoki prąd nasycenia

Specyfikacje techniczne

Typ kanału

Kanał typu P

Prąd ciągły Id drenu

120mA

Rodzaj obudowy tranzystora

SOT-23

Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)

10V

Rozproszenie mocy

300mW

Temperatura robocza, maks.

150°C

Kwalifikacja

Substancje SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Napięcie drenu / źródła Vds

60V

Rezystancja dren-źródło w trybie „On”

10ohm

Montaż tranzystora

montaż powierzchniowy

Napięcie progowe Vgs

1.7V

Liczba pinów

3Pins

Asortyment produktów

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL

MSL 1 - nieograniczone

Dokumentacja techniczna (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NDS0610

Znaleziono 1 produktów

Produkty powiązane

Znaleziono 2 produktów

Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska

Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji

Taryfa celna:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Zgodny z RoHS:Tak

RoHS

Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak

RoHS

Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

Pobierz certyfikat zgodności produktu

Świadectwo zgodności produktu

Ciężar (kg):.000033

Śledzenie produktu