Drukuj stronę
NFAM0512L5BT
Inteligentny moduł zasilania (IPM), IGBT, 1.2 kV, 5 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
90 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 107,990 zł |
| 5+ | 102,000 zł |
| 10+ | 96,010 zł |
| 50+ | 95,960 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
107,99 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNFAM0512L5BT
Nr katalogowy Farnell3677703
Karta katalogowa
Urządzenie zasilające IPMIGBT
Napięcie znamionowe (Vces / Vdss)1.2kV
Prąd znamionowy (Ic / Id)5A
Napięcie izolacji2.5kV
Rodzaj obudowy IPMDIP
Seria IPMDIPIPM
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacja
Fully−integrated inverter power module consisting of an independent high side gate driver, LVIC, six IGBT’s and a temperature sensor (VTS and NTC Thermistor), suitable for driving permanent magnet synchronous (PMSM) motors, brushless DC (BLDC) motors and AC asynchronous motors. The IGBT’s are configured in a three−phase bridge with separate emitter connections for the lower legs for maximum flexibility in the choice of control algorithm. The power stage has under−voltage lockout protection (UVP). Internal boost diodes are provided for high side gate boost drive.
- Three−phase 1200V, 5A IGBT module with independent drivers
- Active logic interface
- Built−in under−voltage protection (UVP)
- Integrated bootstrap diodes and resistors
- Separate low−side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase
- Temperature sensor (VTS or NTC thermistor)
- UL 1557 certified (file no.339285)
Specyfikacje techniczne
Urządzenie zasilające IPM
IGBT
Prąd znamionowy (Ic / Id)
5A
Rodzaj obudowy IPM
DIP
Asortyment produktów
-
Napięcie znamionowe (Vces / Vdss)
1.2kV
Napięcie izolacji
2.5kV
Seria IPM
DIPIPM
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00017
Śledzenie produktu