Drukuj stronę
NGTB05N60R2DT4G
IGBT, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTB05N60R2DT4G
Nr katalogowy Farnell2492865
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora16A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.65V
Rozproszenie mocy56W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
16A
Rozproszenie mocy
56W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.65V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001828