Drukuj stronę
NXH100B120H3Q0PG
moduł IGBT, podwójne, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH100B120H3Q0PG
Nr katalogowy Farnell3929800
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
13 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 271,730 zł |
| 5+ | 239,400 zł |
| 10+ | 207,030 zł |
| 50+ | 202,900 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
271,73 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH100B120H3Q0PG
Nr katalogowy Farnell3929800
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójne
Prąd kolektora DC61A
Prąd ciągły kolektora61A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.77V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.77V
Rozpraszanie mocy Pd186W
Rozproszenie mocy186W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEliteSiC Series
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójne
Prąd ciągły kolektora
61A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.77V
Rozproszenie mocy
186W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Prąd kolektora DC
61A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.77V
Rozpraszanie mocy Pd
186W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EliteSiC Series
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.09