Drukuj stronę
NXH25C120L2C2SG
moduł IGBT, 3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie), 25 A, 1.7 V, 150 °C, DIP
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
5 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 174,580 zł |
| 5+ | 171,080 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
174,58 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH25C120L2C2SG
Nr katalogowy Farnell3464031
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraSześć kanałów N
Konfiguracja IGBT3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie)
Prąd ciągły kolektora25A
Prąd kolektora DC25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.7V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Rozproszenie mocy-
Rozpraszanie mocy Pd-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraDIP
Liczba pinów26Pins
Zakończenie IGBTlutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBT-
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Sześć kanałów N
Prąd ciągły kolektora
25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.7V
Rozproszenie mocy
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
26Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Konfiguracja IGBT
3-fazowy CIB (przetwornik + inwerter + hamowanie)
Prąd kolektora DC
25A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
DIP
Zakończenie IGBT
lutowana
Technologia IGBT
-
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002