Drukuj stronę
NXH350N100H4Q2F2P1G
moduł IGBT, moduł hybrydowy Si/SiC, EliteSiC, poczwórna, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH350N100H4Q2F2P1G
Nr katalogowy Farnell3929806
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 14 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 671,780 zł |
| 5+ | 658,360 zł |
| 10+ | 644,900 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
671,78 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH350N100H4Q2F2P1G
Nr katalogowy Farnell3929806
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpoczwórna
Prąd ciągły kolektora303A
Prąd kolektora DC303A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.63V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.63V
Rozpraszanie mocy Pd592W
Rozproszenie mocy592W
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Temperatura robocza, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1kV
Technologia IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEliteSiC Series
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
poczwórna
Prąd kolektora DC
303A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.63V
Rozproszenie mocy
592W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Prąd ciągły kolektora
303A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.63V
Rozpraszanie mocy Pd
592W
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1kV
Technologia IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EliteSiC Series
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.09
Śledzenie produktu