Drukuj stronę
HGTP12N60A4D.
IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentRENESAS
Nr części producentaHGTP12N60A4D.
Nr katalogowy Farnell3020666
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora54A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.7V
Rozproszenie mocy167W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze HGTP12N60A4D.
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
54A
Rozproszenie mocy
167W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.7V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Nie
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002