Drukuj stronę
TP70H480G4JSGB-TR
tranzystor GaN, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentRENESAS
Nr części producentaTP70H480G4JSGB-TR
Nr katalogowy Farnell4680958RL
Asortyment produktówSuperGaN Series
Karta katalogowa
4 946 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 19,880 zł |
| 500+ | 17,850 zł |
| 1000+ | 16,460 zł |
| 5000+ | 15,360 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
2 008,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentRENESAS
Nr części producentaTP70H480G4JSGB-TR
Nr katalogowy Farnell4680958RL
Asortyment produktówSuperGaN Series
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds700V
Prąd ciągły Id drenu5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.56ohm
Rodzaj ładunku bramki (Qg)5.2nC
Rodzaj obudowy tranzystoraQFN
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów8Pins
Asortyment produktówSuperGaN Series
Kwalifikacja-
Specyfikacja
TP70H480G4JSGB-TR is a 700V, 480mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
700V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.56ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
QFN
Liczba pinów
8Pins
Kwalifikacja
-
Prąd ciągły Id drenu
5A
Rodzaj ładunku bramki (Qg)
5.2nC
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
SuperGaN Series
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu