Drukuj stronę
BR93H66RF-2LBH2
EEPROM, 4 Kbit, 256 x 16bit, mikroprzewód, 2 MHz, SOP, 8 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentROHM
Nr części producentaBR93H66RF-2LBH2
Nr katalogowy Farnell4180302
Asortyment produktów4Kbit Microwire Serial EEPROM
Karta katalogowa
250 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3,010 zł |
| 10+ | 2,830 zł |
| 50+ | 2,690 zł |
| 100+ | 2,630 zł |
| 250+ | 2,620 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
3,01 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaBR93H66RF-2LBH2
Nr katalogowy Farnell4180302
Asortyment produktów4Kbit Microwire Serial EEPROM
Karta katalogowa
Gęstość pamięci4Kbit
Konfiguracja pamięci256 x 16bit
Interfejsymikroprzewód
Maks. częstotliwość zegara2MHz
Obudowa układu ICSOP
Liczba pinów8Pins
Napięcie zasilania, min.2.5V
Napięcie zasilania, maks.5.5V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.125°C
Asortyment produktów4Kbit Microwire Serial EEPROM
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
BR93H66RF-2LB is a serial EEPROM of serial 3-line interface method. It has high-reliability using ROHM original double-cell structure. It has more than 100 years data retention and also has more than 1million write cycles. It is used in application like industrial equipment.
- Conforming to microwire BUS
- Withstands electrostatic voltage upto 6KV (HBM method typ)
- Same package line-up and same pin configuration
- 2.5V to 5.5V single supply voltage operation
- Address auto increment function at READ operation, self-timed programming cycle
- Program condition display by READY/active-low BUSY
- High-reliability using ROHM original double-cell structure
- Supply current is 1.5mA typical at (fSK=2MHz, read)
- 93 microwire bus, 4Kbit capacity
- Operating temperature is -40°C to +125°C, package style is SOP8
Specyfikacje techniczne
Gęstość pamięci
4Kbit
Interfejsy
mikroprzewód
Obudowa układu IC
SOP
Napięcie zasilania, min.
2.5V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
125°C
Substancje SVHC
To Be Advised
Konfiguracja pamięci
256 x 16bit
Maks. częstotliwość zegara
2MHz
Liczba pinów
8Pins
Napięcie zasilania, maks.
5.5V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
4Kbit Microwire Serial EEPROM
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423275
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu