Drukuj stronę
BSM180C12P3C202
MOSFET - węglik krzemu, chopper, Kanał typu N, 180 A, 1.2 kV, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
12 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1 747,710 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
1 747,71 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaBSM180C12P3C202
Nr katalogowy Farnell3573219
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETchopper
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu180A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”-
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Liczba pinów-
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)-
Napięcie progowe Vgs5.6V
Rozproszenie mocy880W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCLead (23-Jan-2024)
Specyfikacja
BSM180C12P3C202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, IC=180A, VGS=18V)
- 10µA maximum drain cut-off current (VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=50mA, Tj=25°C)
- 9nF typical input capacitance (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 30ns typ switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V, VDS=600V, RG=3.9ohm inductive load)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
chopper
Prąd ciągły Id drenu
180A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
-
Liczba pinów
-
Napięcie progowe Vgs
5.6V
Temperatura robocza, maks.
150°C
Substancje SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
-
Rozproszenie mocy
880W
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.28