Drukuj stronę
SP8K24HZGTB
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 905 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 6,030 zł |
| 500+ | 5,150 zł |
| 1000+ | 4,980 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
623,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaSP8K24HZGTB
Nr katalogowy Farnell3580399RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds45V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N45V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P45V
Prąd ciągły Id drenu6A
Prąd ciągły Id drenu, kanał N6A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P6A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.018ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.018ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOP
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N2W
Rozproszenie mocy, kanał typu P2W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
45V
Prąd ciągły Id drenu
6A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
6A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.018ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
2W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Napięcie drenu / źródła Vds
45V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
45V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
6A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.018ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOP
Rozproszenie mocy, kanał typu N
2W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00005
Śledzenie produktu