Drukuj stronę
SKM100GB125DN
moduł IGBT, półmostek, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
9 W Magazynie
16 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 866,790 zł |
| 5+ | 804,250 zł |
| 10+ | 730,780 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
866,79 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentSEMIKRON
Nr części producentaSKM100GB125DN
Nr katalogowy Farnell2423681
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpółmostek
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Prąd ciągły kolektora100A
Prąd kolektora DC100A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter3.3V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)3.3V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura robocza, maks.150°C
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Liczba pinów7Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTNPT IGBT [Ultrafast]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Specyfikacja
SKM100GB125DN to N-kanałowy, ultraszybki moduł IGBT 1200V z szybkimi diodami CAL z łagodnym odwracaniem polaryzacji. Tranzystor ten jest idealny dla inwerterów rezonansowych do 100kHz oraz spawarek elektronicznych jak również ogrzewania indukcyjnego.
- Niska indukcyjność
- Prąd krótkiej końcówki z niską zależnością temperaturową
- Duża zdolność zwarciowa
- Izolowana płyta bazowa wykorzystująca technologię DCB (bezpośredniego wiązania miedzi)
- Duży odstęp izolacyjny (10mm) oraz droga upływu (20mm)
Ostrzeżenia
Układ czuły na ESD, należy zachować ostrożność podczas pracy; obudowa ESD nie jest konieczna. Ze względu na wymogi techniczne, komponenty mogą zawiera substancje niebezpieczne.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd ciągły kolektora
100A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
3.3V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Zakończenie IGBT
zatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd kolektora DC
100A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
3.3V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Liczba pinów
7Pins
Technologia IGBT
NPT IGBT [Ultrafast]
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Italy
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Italy
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.18
Śledzenie produktu