Drukuj stronę
SKM150GB12T4
moduł IGBT, półmostek, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
51 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 571,090 zł |
| 5+ | 529,860 zł |
| 10+ | 481,500 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
571,09 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentSEMIKRON
Nr części producentaSKM150GB12T4
Nr katalogowy Farnell2423687
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpółmostek
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Prąd ciągły kolektora232A
Prąd kolektora DC232A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.8V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.8V
Rozproszenie mocy-
Rozpraszanie mocy Pd-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura robocza, maks.175°C
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Liczba pinów7Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Specyfikacja
The SKM150GB12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd ciągły kolektora
232A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.8V
Rozproszenie mocy
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd kolektora DC
232A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.8V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura robocza, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Liczba pinów
7Pins
Technologia IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SKM150GB12T4
Znaleziono 4 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Slovak Republic
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Slovak Republic
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.18
Śledzenie produktu