Potrzebujesz więcej?
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 4,560 zł |
10+ | 2,850 zł |
100+ | 1,870 zł |
500+ | 1,450 zł |
1000+ | 1,320 zł |
5000+ | 1,190 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
Niskonapięciowa dioda TVS, serii µClamp, przeznaczona jest do ochrony ESD oraz CDE. Została zaprojektowana jako zamiennik warystorów wielowarstwowych (MLV) w aplikacjach przenośnych, takich jak: telefony komórkowe, notebooki oraz palmtopy. Oferuje najlepszą charakterystykę elektryczną, jak np. niższe napięcie odcinające oraz brak pogorszenia parametrów układu w porównaniu z MLV. Układ zaprojektowany jest do ochrony czułych komponentów półprzewodnikowych przed uszkodzeniami lub zachwianiem wartości parametrów spowodowanymi wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD), wyładowaniami atmosferycznymi, przejściowymi stanami elektrycznymi (EFT) oraz zdarzeniami wyładowań kablowych (CDE). Układ jest skonstruowany z wykorzystaniem zastrzeżonej technologii procesowej EPD Semtech. Proces EPD zapewnia niskie napięcia standoff o znacznie zmniejszonych prądach upływu jak i pojemności w porównaniu z procesami z krzemowymi diodami lawinowymi. Ma rzeczywistą wartość napięcia roboczego na poziomie 3.3V dla najlepszej ochrony w porównaniu z tradycyjnymi układami połączeniowymi PN. Daje to projektantowi elastyczność odnośnie ochrony jednej linii w aplikacjach, w których układy nie są praktyczne.
- Zabezpiecza jedną linię danych
- Niskie napięcie odcięcia
- Niski prąd upływu
- Półprzewodnikowa, krzemowa technologia zaawansowana
- Zakres temperatury pracy -55 do 125°C
Specyfikacje techniczne
µClamp
3.3V
SLP1006P2
-
90W
Montaż powierzchniowy
No SVHC (15-Jan-2019)
Dwukierunkowe
18V
2Pins
-
85°C
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu