Drukuj stronę
GD1400HFX170P2S
moduł IGBT, półmostek, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 2 234,700 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
2 234,70 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTARPOWER
Nr części producentaGD1400HFX170P2S
Nr katalogowy Farnell3549224
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpółmostek
Prąd kolektora DC2.342kA
Prąd ciągły kolektora2.342kA
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.95V
Rozproszenie mocy9.37kW
Rozpraszanie mocy Pd9.37kW
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.7kV
Technologia IGBTTrench Field Stop
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd ciągły kolektora
2.342kA
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.95V
Rozpraszanie mocy Pd
9.37kW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.7kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Prąd kolektora DC
2.342kA
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Rozproszenie mocy
9.37kW
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Technologia IGBT
Trench Field Stop
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.3