Drukuj stronę
SCTL90N65G2V
MOSFET - węglik krzemu, pojedyncze, Kanał typu N, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSCTL90N65G2V
Nr katalogowy Farnell3748721RL
Karta katalogowa
1 848 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 81,490 zł |
| 50+ | 79,840 zł |
| 100+ | 78,240 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 10
Wiele: 1
834,90 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSCTL90N65G2V
Nr katalogowy Farnell3748721RL
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Biegunowość tranzystoraKanał N
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu40A
Napięcie drenu / źródła Vds650V
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.018ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.018ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerFLAT
Liczba pinów5Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)18V
Napięcie progowe Vgs3.2V
Rozproszenie mocy935W
Rozpraszanie mocy Pd935W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SCTL90N65G2V to MOSFET mocy z węglika krzemu. Został opracowany przy użyciu zaawansowanej i innowacyjnej technologii SiC MOSFET drugiej generacji firmy ST. Charakteryzuje się wyjątkowo niską rezystancją włączenia na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wydajnością przełączania. Zmiana strat przełączania jest prawie niezależna od temperatury złącza. Typowe obszary zastosowania to zasilacze impulsowe, przetwornice DC-DC i sterowanie silnikami przemysłowymi.
- Bardzo szybka i solidna dioda wewnętrzna, niskie wartości pojemności
- Pin wykrywający źródło dla zwiększenia wydajności
- Napięcie przebicia dren-źródło wynosi minimum 650 V przy VGS = 0 V, ID = 1 mA
- Statyczna rezystancja w trybie „on" dren-źródło wynosi maksymalnie 24 mohm przy VGS = 18 V, ID = 40 A
- Prąd drenu (ciągły) przy TC = 25°C wynosi 40A
- Pojemność wejściowa wynosi typowo 3380 pF przy VDS = 400 V, f = 1 MHz, VGS = 0 V
- Czas narastania wynosi typowo 38 ns przy VDD = 400 V, ID = 50 A, RG = 2,2 oma, VGS = -5 V do 18 V
- Obudowa PowerFLAT 8x8 HV
- Zakres roboczej temperatury połączeniowej: od -55 do 175 °C
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
650V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.018ohm
Liczba pinów
5Pins
Napięcie progowe Vgs
3.2V
Rozpraszanie mocy Pd
935W
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły Id drenu
40A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.018ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerFLAT
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
18V
Rozproszenie mocy
935W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00018
Śledzenie produktu