Drukuj stronę
STD80N4F6
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTD80N4F6
Nr katalogowy Farnell3132732
Asortyment produktówSTripFET VI DeepGATE
Karta katalogowa
3 911 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3,810 zł |
| 10+ | 3,240 zł |
| 100+ | 2,870 zł |
| 500+ | 2,810 zł |
| 1000+ | 2,780 zł |
| 5000+ | 2,660 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
3,81 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTD80N4F6
Nr katalogowy Farnell3132732
Asortyment produktówSTripFET VI DeepGATE
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu80A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”5500µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy70W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówSTripFET VI DeepGATE
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
80A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
70W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
5500µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
STripFET VI DeepGATE
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STD80N4F6
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00035
Śledzenie produktu