Drukuj stronę
STGD10NC60KDT4
IGBT, 20 A, 2 V, 60 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTGD10NC60KDT4
Nr katalogowy Farnell1317109
Karta katalogowa
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTGD10NC60KDT4
Nr katalogowy Farnell1317109
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora20A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2V
Rozproszenie mocy60W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
20A
Rozproszenie mocy
60W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00031