Drukuj stronę

STP5NK100Z

Name: STMICROELECTRONICS STP5NK100Z
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 9512829
Availability: InStock

MOSFET mocy, Kanał typu N, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, przewlekany

Date/Lot Code

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

ProducentSTMICROELECTRONICS

Nr części producentaSTP5NK100Z

Nr katalogowy Farnell9512829

Karta katalogowa

Data Sheet

Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

7 790 W Magazynie

Potrzebujesz więcej?

Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze

Złóż zamówienie przed godziną 17:00

BEZPŁATNA standardowa dostawa

zamówień 0,00 zł i powyżej

Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia

Ilość	Cena (bez VAT)
1+	12,830 zł
10+	8,610 zł
100+	8,440 zł
500+	6,840 zł
1000+	6,540 zł
5000+	6,410 zł

Cena netto dlasztuka

Minimum: 1

Wiele: 1

12,83 zł (bez VAT)

Uwagi na temat danego wiersza

Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.

Numer Twojej części

Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.

Informacje o produkcie

ProducentSTMICROELECTRONICS

Nr części producentaSTP5NK100Z

Nr katalogowy Farnell9512829

Karta katalogowa

Data Sheet

Typ kanałuKanał typu N

Napięcie drenu / źródła Vds1kV

Prąd ciągły Id drenu3.5A

Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3.7ohm

Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220

Montaż tranzystoraprzewlekany

Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V

Napięcie progowe Vgs3.75V

Rozproszenie mocy125W

Liczba pinów3Pins

Temperatura robocza, maks.150°C

Asortyment produktów-

Kwalifikacja-

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-

Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Specyfikacja

The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.

Extremely high dV/dt capability
100% Avalanche tested
Very good manufacturing repeatability

Ostrzeżenia

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specyfikacje techniczne

Typ kanału

Kanał typu N

Prąd ciągły Id drenu

3.5A

Rodzaj obudowy tranzystora

TO-220

Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)

10V

Rozproszenie mocy

125W

Temperatura robocza, maks.

150°C

Kwalifikacja

Substancje SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Napięcie drenu / źródła Vds

1kV

Rezystancja dren-źródło w trybie „On”

3.7ohm

Montaż tranzystora

przewlekany

Napięcie progowe Vgs

3.75V

Liczba pinów

3Pins

Asortyment produktów

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL

Dokumentacja techniczna (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Produkty powiązane

Znaleziono 1 produktów

Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska

Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji

Taryfa celna:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Zgodny z RoHS:Tak

RoHS

Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak

RoHS

Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

Pobierz certyfikat zgodności produktu

Świadectwo zgodności produktu

Ciężar (kg):.002

Śledzenie produktu