Drukuj stronę
STP80N10F7
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 80 A, 8500 µohm, TO-220AB, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTP80N10F7
Nr katalogowy Farnell2807222
Asortyment produktówDeepGATE STripFET VII
Karta katalogowa
1 110 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 10,850 zł |
| 10+ | 7,760 zł |
| 100+ | 6,880 zł |
| 500+ | 5,910 zł |
| 1000+ | 5,490 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
10,85 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTP80N10F7
Nr katalogowy Farnell2807222
Asortyment produktówDeepGATE STripFET VII
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu80A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”8500µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220AB
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.5V
Rozproszenie mocy110W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówDeepGATE STripFET VII
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STP80N10F7
Znaleziono 2 produktów
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
80A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220AB
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
110W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
8500µohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
3.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
DeepGATE STripFET VII
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0023